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本发明公开了一种形成三维存储器器件的方法，该方法包括在衬底上方形成绝缘层和间隔物材料层的竖直交替序列，使得该间隔物材料层形成为导电层或随后用导电层替换；迭代地执行第一组非偏移层图案化加工步骤至少两次以形成包括在第一水平方向上延伸的一组阶梯式...
该专利属于桑迪士克科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克科技有限责任公司授权不得商用。

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