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一种磁阻存储器设备包括第一电极、第二电极和位于该第一电极与该第二电极之间的层堆叠。该层堆叠可包括铁电材料层和变磁性隧道结，该变磁性隧道结包含变磁性材料层、绝缘阻挡层和金属材料层。另选地，该层堆叠可包括多铁性材料层、变磁性材料层、绝缘阻挡层和...
该专利属于西部数据技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过西部数据技术公司授权不得商用。

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