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本发明公开了一种线性化的高阻值ＭＯＳＦＥＴ有源电阻，在单管有源ＭＯＳＦＥＴ的基础上并联一个ＭＯＳＦＥＴ，并通过对并联的两ＭＯＳＦＥＴ进行对称地偏置实现了电阻值大，线性度好，成本低的目的，适用于集成电路设计所有需要用到高线性度大电阻的场合。...
该专利属于杭州硅星科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州硅星科技有限公司授权不得商用。

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