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公开了一种紧凑并且频带宽的用于中频的表面声波器件。也公开了一种具有高的机电耦合因子和低的ＳＡＷ速度的用于表面声波器件的压电基体。表面声波器件由压电基体１和成型于压电基体１上的交叉指型电极２，２组成。压电基体１具有Ｃａ↓［３］Ｇａ↓［２］Ｇｅ...
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