表面声波器件及其所用的压电基体制造技术

公开了一种紧凑并且频带宽的用于中频的表面声波器件。也公开了一种具有高的机电耦合因子和低的ＳＡＷ速度的用于表面声波器件的压电基体。表面声波器件由压电基体１和成型于压电基体１上的交叉指型电极２，２组成。压电基体１具有Ｃａ↓［３］Ｇａ↓［２］Ｇｅ↓［４］Ｏ↓［１４］型的晶体结构，可用化学式Ｃａ↓［３］ＴａＧａ↓［３］Ｓｉ↓［２］Ｏ↓［１４］来表示。发现用欧拉角（Φ，θ，φ）表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为－２．５°≤Φ≤２．５°，３０°≤θ≤９０°，和－６５°≤φ≤６５°的区内。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种表面声波器件及其所用的压电基体。近年来，包括携带式活动电话的各种移动通讯终端器件已被广泛使用。非常希望减少这种终端器件的尺寸和重量以使其更加轻便。为了减小终端器件的尺寸和重量，实质上必须使它们的电子部件的尺寸和重量减小。基于此，可使尺寸和重量减小的表面声波器件，即表面声波滤波器通常用在终端器件的高中频部件中。这种器件由位于其压电基体表面的用于激发、接收、反射和传播表面声波的交叉指型电极组成。用于表面声波器件的压电基体重要的性能是表面波速(SAW速度)，滤波器中心频率或谐振器谐振频率的温度系数(频率温度系数TCF)，以及机电耦合因子(K2)。下表1列出了目前已知的常用于表面声波器件的压电基体的性能。有关这些性能的详细内容，可参考Yasutaka，SHIMIZU，“SAW材料的传播性能及其目前的应用”，电子学会学报，信息与通讯工程A，Vol.J76-A，NO.2，PP.129-137(1993)。下文中，用于表面声波器件的压电基体将参考表1中的标识。表1 从表1中可以看出，目前已知的压电基体可分成包括128LN，64LN和36LT的具有高的SAW速度和高的机电耦合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种表面声波器件，包括压电基体和成型于压电基体上的交叉指型电极，其中：压电基体具有Ｃａ↓［３］Ｇａ↓［２］Ｇｅ↓［４］Ｏ↓［１４］型的晶体结构，可用化学式Ｃａ↓［３］ＴａＧａ↓［３］Ｓｉ↓［２］Ｏ↓［１４］来表示；和发现用欧拉角（Φ ，θ，ψ）表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为－２．５°≤Φ≤２．５°，３０°≤θ≤９０°，和－６５°≤ψ≤６５°的区内。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：井上憲司，佐藤胜男，守越広树，川嵜克己，佐藤淳，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]