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薄膜声耦合变压器（ＦＡＣＴ）（２００）具有第一（１０６）和第二（１０８）去耦层叠体声谐振器（ＤＳＢＡＲ）。每个ＤＳＢＡＲ具有下部薄膜体声谐振器（ＦＢＡＲ）（１１０）、在下部ＦＢＡＲ顶部的上部ＦＢＡＲ（１２０）和在它们之间的声去耦器（１３０）...该专利属于阿瓦戈科技无线IP（新加坡）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过阿瓦戈科技无线IP（新加坡）股份有限公司授权不得商用。
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