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本发明涉及一种压电体薄膜、压电体及其制造方法、使用该压电体薄膜的压电体谐振子、执行器元件以及物理传感器。其中，压电体薄膜包括含有钪的氮化铝薄膜，氮化铝薄膜中的钪的含有率在钪的原子数和铝的原子数的总量设定为１００原子％时为０．５～５０原子％。...该专利属于独立行政法人产业技术综合研究所;株式会社电装所有，仅供学习研究参考，未经过独立行政法人产业技术综合研究所;株式会社电装授权不得商用。