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本发明公开了一种晶体管的制造方法，涉及半导体技术领域，用于在沟道的材质含有锗的情况下，提高包括该沟道的晶体管的工作性能。所述晶体管的制造方法包括：在基底上形成晶体管包括的沟道、以及至少位于沟道上的硅层。沟道的材质含有锗。硅层中含有由沟道中扩...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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