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由双扩散层形成的高耐压结构形成调整晶体管。在Ｐ↑［－］半导体基片的顶部形成Ｎ↑［－］阱，在Ｎ↑［－］阱内形成Ｐ↑［－］阱。用作调整晶体管的源极的Ｎ↑［＋］扩散区和用作调整晶体管的背栅极的Ｐ↑［＋］经过场氧化物薄膜形成在Ｐ↑［－］阱的顶部。由...
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