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本申请实施例涉及一种反应腔室的清洗方法及半导体工艺方法。该清洗方法用于对反应腔室进行清洗，反应腔室的内壁形成有碳材料层，碳材料层的表面附着有介质材料层，所述清洗方法包括：于反应腔室内通入清洗气体，清洗气体、碳材料层及介质材料层反应形成挥发性...
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