温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提出了电子传输层材料及其制备方法、QLED器件及其制备方法和显示装置。电子传输层材料，包括：掺杂有掺杂元素的金属氧化物，其中，掺杂元素包括Li和F。通过在金属氧化物中进行锂元素和氟元素的掺杂，有效降低了电子传输层的电子迁移速率，使得发...
该专利属于合肥福纳科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥福纳科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。