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本发明提供的深紫外LEDs制备方法，以过原位生长的图案化石墨烯作为深紫外LEDs的p接触层，同时利用原位掺杂方法调控石墨烯的能级，替代传统的紫外光吸收p
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该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

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