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半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底上具有分立的鳍部叠层结构；在所述基底上形成横跨所述鳍部叠层结构的栅极结构；以所述栅极结构为掩膜刻蚀所述鳍部叠层结构，形成第二鳍部和第二牺牲层；刻蚀所述第一鳍部层和所述第一牺牲材料层，形...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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