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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底以及凸出于衬底的鳍部，基底上形成有层间介质层，层间介质层中形成有栅极开口，栅极开口横跨鳍部，并露出鳍部的部分顶部和部分侧壁；在栅极开口侧壁和鳍部侧壁形成填充层，填充层用于填充栅极开...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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