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本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括有源区以及围绕有源区的无源区；半导体器件还包括：衬底；位于衬底一侧且位于有源区的至少两个栅极，至少两个栅极包括第一栅极和第二栅极；位于衬底一侧且位于无源区的至少一个栅极连接结构，栅...
该专利属于苏州能讯高能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州能讯高能半导体有限公司授权不得商用。

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