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本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括：衬底；第一晶体管，包括位于所述衬底内的第一沟道、以及位于所述衬底表面的第一端，所述第一端用于与第一类型存储单元连接；第二晶体管，包括位于所述衬底内的第二沟道、以及位于所述衬底表面的第...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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