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本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，在衬底的正面形成多层异质结构层，在顶层的异质结构层上形成第一栅极，在衬底的背面减薄后形成第二栅极，第一栅极与所述第二栅极均延伸至所述异质结构层的侧壁并通过高掺杂栅极连接区相连接，所述第一栅极、所述第二...
该专利属于绍兴中芯集成电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过绍兴中芯集成电路制造股份有限公司授权不得商用。

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