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耿氏二极管制造方法以及耿氏振荡器技术
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文档序号:3399247
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在半导体基板上依次层叠有第1半导体层、活化层和第2半导体层的耿氏二极管,具有设于第2半导体层上的对活化层施加电压用的第1、第2电极、从该第1电极周围向着第2半导体层和活化层切入并将与第1电极连接的第2半导体层和活化层作为起耿氏二极管作用的区...
该专利属于新日本无线株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过新日本无线株式会社授权不得商用。
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