专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
东南大学
>
基于厚Si3N4材料的低插入损耗、大带宽紧凑型多模干涉耦合器制造技术
>技术资料下载
下载基于厚Si3N4材料的低插入损耗、大带宽紧凑型多模干涉耦合器的技术资料
文档序号:33958962
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种基于厚Si3N4材料的低插入损耗、大带宽紧凑型多模干涉耦合器,包括基于厚Si3N4材料的单条形锥形渐变输入波导、多模干涉区域、锥形渐变输出波导。本发明可实现入射光由一端口分配到两个输出波导,形成一分二功分器或二合一耦合器,适...
该专利属于东南大学所有,仅供学习研究参考,未经过东南大学授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。