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本发明涉及一种四阱双向的可控硅结构的快充静电浪涌防护电路，第一深层N阱设置在P型衬底的上方，第一深层N阱的右侧边缘与P型衬底的右侧边缘连接，第一深层N阱的左侧边缘与P型衬底的左侧边缘保留距离；第一N阱、第一P阱、第二N阱、第二P阱依次连接；...
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