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本揭露提供铁电存储器器件、铁电存储器器件的制造方法以及半导体芯片。铁电存储器器件包括栅极、铁电层、通道层、第一阻挡层、第二阻挡层与一对源极/漏极。铁电层设置于栅极的一侧。通道层经由铁电层而电容耦合至栅极。第一阻挡层与第二阻挡层设置于铁电层与...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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