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相变存储器及其制造、编程和读取方法技术
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文档序号:33909514
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本公开的各实施例涉及相变存储器及其制造、编程和读取方法。一种相变存储器(PCM)包括:半导体主体,容纳选择晶体管;电绝缘主体,被设置在半导体主体之上;导电区,延伸穿过电绝缘主体,电耦合到选择晶体管;以及所述电绝缘主体中的多个加热器元件。多个...
该专利属于意法半导体股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过意法半导体股份有限公司授权不得商用。
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