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一种垂直型非易失性存储器件，具有对垂直沟道层的不对准的敏感性增强的多叠层结构。所述非易失性存储器件包括：(i)主芯片区，所述主芯片区包括单元区和被布置为具有台阶结构的延伸区，所述单元区和所述延伸区以多叠层结构形成，以及(ii)外芯片区，所述...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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