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本发明涉及半导体集成电路装置的接触插塞形成方法的相关技术，在基板处理装置内形成接触插塞的方法，基板处理装置具有工艺腔室，工艺腔室在内部具有处理空间，并且包括基板支撑架和气体喷射部，基板支撑架位于处理空间的下部区域并放置半导体基板，气体喷射部...
该专利属于圆益IPS股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过圆益IPS股份有限公司授权不得商用。

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