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本申请涉及半导体技术领域,具体涉及一种在衬底表面形成膜的方法,包括以下步骤:将前驱体气化成前驱体蒸气;在前驱体蒸气输送至沉积腔室内的过程中,通过先压缩再膨胀提高前驱体蒸气的供气流量,以在沉积腔室的衬底表面形成厚度均匀的膜。提高了前驱体蒸气的...该专利属于真芯(北京)半导体有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过真芯(北京)半导体有限责任公司授权不得商用。
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本申请涉及半导体技术领域,具体涉及一种在衬底表面形成膜的方法,包括以下步骤:将前驱体气化成前驱体蒸气;在前驱体蒸气输送至沉积腔室内的过程中,通过先压缩再膨胀提高前驱体蒸气的供气流量,以在沉积腔室的衬底表面形成厚度均匀的膜。提高了前驱体蒸气的...