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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构两侧的基底内形成有源漏掺杂层，栅极结构露出的基底上形成有第一层间介质层，第一层间介质层覆盖栅极结构的顶部；形成贯穿栅极结构之间的第一层间介质层的开口，开口露出...
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