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本发明公开了一种铁电器件，该铁电器件包括半导体沟道区、栅极电极和铁电栅极电介质，该铁电栅极电介质位于沟道区与栅极电极之间，并且包括具有不同结构缺陷密度的多个铁电栅极介电部分。极介电部分。极介电部分。
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该专利属于桑迪士克科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克科技有限责任公司授权不得商用。

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