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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底、栅极结构、源漏掺杂区、以及层间介质层；去除位于隔离区的栅极结构，形成隔离开口，暴露出位于隔离区的鳍部的顶部和侧壁；对隔离开口下方的鳍部进行掺杂形成隔离掺杂区，隔离掺杂区的掺杂类型与源漏掺杂...
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