下载半导体结构及其形成方法的技术资料

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一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底,基底包括衬底以及位于衬底上多个分立的鳍部,鳍部露出的衬底上形成有隔离层,隔离层覆盖鳍部的部分侧壁,隔离层上形成有横跨鳍部的栅极结构,沿与鳍部的延伸方向相垂直的方向,基底包括相邻的第一器件区和第...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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