半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底包括衬底以及位于衬底上多个分立的鳍部，鳍部露出的衬底上形成有隔离层，隔离层覆盖鳍部的部分侧壁，隔离层上形成有横跨鳍部的栅极结构，沿与鳍部的延伸方向相垂直的方向，基底包括相邻的第一器件区和第二器件区，第一器件区用于形成第一型晶体管，第二器件区用于形成第二型晶体管；依次刻蚀第一器件区与第二器件区交界处的栅极结构和隔离层，形成由栅极结构和隔离层围成的凹槽；在凹槽中形成扩散阻挡层；分别对扩散阻挡层两侧的第一器件区和第二器件区的鳍部进行沟道停止离子注入。扩散阻挡层减小每个器件区中的防穿通离子对其他器件区的影响，提高了半导体结构的性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor，MOSFET)关键尺寸的缩小，短沟道效应(Short Channel Effect，SCE)成为一个至关重要的问题。鳍式场效应晶体管(Fin Field Effect Transistor，FinFET)具有良好的栅控能力，能够有效地抑制短沟道效应。因此，在小尺寸的半导体元件设计中通常采用FinFET器件。
[0003]由于器件尺寸的减小，容易出现穿通效应(punch through effect)。为了抑制穿通效应，通常需要对隔离层顶面位置处下方的鳍部进行沟道停止离子注入(channel stop IMP)，以形成防穿通离子掺杂区。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，提高半导体结构的电学性能。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部，沿与所述鳍部的延伸方向相垂直的方向，所述基底包括相邻的第一器件区和第二器件区，所述第一器件区用于形成第一型晶体管，所述第二器件区用于形成第二型晶体管，所述第一型和第二型不同；隔离层，位于所述鳍部露出的所述衬底上，所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁；防穿通离子掺杂区，位于所述隔离层顶面位置处下方的所述鳍部中；扩散阻挡层，位于所述第一器件区与第二器件区交界处的所述隔离层中；器件栅极结构，横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁，所述器件栅极结构还覆盖所述扩散阻挡层。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述扩散阻挡层的顶部低于所述鳍部的顶部。3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述扩散阻挡层的顶部至所述器件栅极结构的顶部的距离为200埃至400埃。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，以所述器件栅极结构的延伸方向为横向，所述扩散阻挡层的横向尺寸为8纳米至30纳米。5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离层具有初始高度；所述扩散阻挡层的底部至所述隔离层顶部的距离占所述初始高度的三分之一至二分之一。6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述扩散阻挡层的材料包括氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮碳化硅、氮化硼、氮化硼硅和氮化硼碳硅中的一种或多种。7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述器件栅极结构为金属栅极结构。8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一型和第二型的导电类型不同。9.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底以及位于衬底上多个分立的鳍部，所述鳍部露出的衬底上形成有隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁，所述隔离层上形成有横跨所述鳍部的栅极结构，沿与所述鳍部的延伸方向相垂直的方向，所述基底包括相邻的第一器件区和第二器件区，所述第一器件区用于形成第一型晶体管，所述第二器件区用于形成第二型晶体管，所述第一型和第二型不同；依次刻蚀所述第一器件区与第二器件区交界处的所述栅极结构和隔离层，形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：周飞，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：