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本发明涉及一种三维存储器及其形成方法。三维存储器的形成方法包括如下步骤：提供衬底；形成位于衬底上方的第一牺牲层、位于第一牺牲层上方的堆叠层、以及至少贯穿堆叠层和第一牺牲层的沟道孔；形成第二牺牲层于沟道孔的底部，使得第二牺牲层的顶面位于衬底的...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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