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本公开提供了具有到含多个二极管结的阱的主体接触的集成电路(IC)结构。第一掺杂阱位于衬底中。晶体管位于第一掺杂阱上。沟槽隔离(TI)与第一掺杂阱的一部分相邻。衬底内的第二掺杂阱具有位于第一掺杂阱的底表面下方的底表面。TI的侧壁在水平方向上邻...
该专利属于格芯（美国）集成电路科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯（美国）集成电路科技有限公司授权不得商用。

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