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本发明公开了碳布模板构筑Ni/SnS2@Ni(OH)2的方法，具体按照以下步骤实施：步骤1，制备Ni掺杂的SnS2纳米片阵列；步骤2，制备Ni/SnS2@Ni(OH)2；本发明方法简单，成本较低；制备的超级电容器正极材料具有较高的面积比容量...
该专利属于西安工程大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安工程大学授权不得商用。

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