碳布模板构筑Ni/SnS2@Ni(OH)2的方法技术

本发明专利技术公开了碳布模板构筑Ni/SnS2@Ni(OH)2的方法，具体按照以下步骤实施：步骤1，制备Ni掺杂的SnS2纳米片阵列；步骤2，制备Ni/SnS2@Ni(OH)2；本发明专利技术方法简单，成本较低；制备的超级电容器正极材料具有较高的面积比容量和功率密度，表现出良好的电化学性能；且首次合成Ni/SnS2@Ni(OH)2材料，具有创新性；良好的电化学性能，具有实用性。具有实用性。具有实用性。

【技术实现步骤摘要】
碳布模板构筑Ni/SnS2@Ni(OH)2的方法


[0001]本专利技术属于超级电容器正极材料合成
，具体涉及碳布模板构筑Ni/SnS2@Ni(OH)2的方法。

技术介绍

[0002]随着化石能源的过渡开采和急剧消耗，能源问题和环境恶化已经备受人们关注。目前开发清洁低廉的环境友好储能元件来缓解当前社会的能源危机，对于发展国民经济、实现可持续发展具有重大意义。目前，超级电容器作为新兴储能元件被认为是有效的途径之一。研究表明：
①
相比于锂离子电池，超级电容器材料具有更高的功率密度，能实现快速充放电；
②
水系超级电容器材料具有绿色、无污染环境友好等特点，在动力用能源领域具有应用价值。
[0003]关于碳布上原位负载Sn的硫化物用于超级电容器正极材料的制备方法已有文献报道，但制备Ni参杂的SnS2阵列原位生长Ni(OH)2纳米片双阵列结构材料并用于超级电容器体系的报道甚少。水热法在碳布模板上构筑Ni参杂的SnS2纳米片阵列，并在SnS2纳米片阵列上原位生长超薄Ni(OH)2纳米片，大大提升SnS2纳米片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.碳布模板构筑Ni/SnS2@Ni(OH)2的方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1，制备Ni掺杂的SnS2纳米片阵列；步骤2，制备Ni/SnS2@Ni(OH)2。2.根据权利要求1所述的碳布模板构筑Ni/SnS2@Ni(OH)2的方法，其特征在于，所述步骤1具体如下：步骤1.1，所采用化学品包括硝酸HNO3、硫酸H2SO4、四氯化锡SnCl4、六水合氯化镍NiCl2·
6H2O和硫代乙酰胺TAA，合成前，将碳布浸入HNO3和H2SO4混合溶液中，去除表面杂质和活化，然后在空气中干燥，记为样品A；步骤1.2，将无水SnCl4、NiCl2·
6H2O和硫代乙酰胺TAA溶解在去离子水中并搅拌，记为溶液B；步骤1.3，将样品A和溶液B同时转移到聚四氟乙烯衬里的高压釜中，保持一段时间，然后自然冷却至室温，将得到的碳布表面原位生长的Ni/SnS2前体用去离子水和乙醇超声洗涤数次，然后在真空干燥过夜，将得到Ni掺杂的SnS2纳米片阵列；记为样品C。3.根据权利要求2所述的碳布模板构筑Ni/SnS2@Ni(OH)2的方法，其特征在于，所述步骤1.1中碳布大小为1
×
3～2
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3cm，HNO3和H2SO4混合溶液的质量比为3:1。4.根据权利要求2所述的碳布模板构筑Ni/SnS2@Ni(OH)2的方法，其特征在于，所述步骤1.2中无水SnCl4为1～3mmol、NiCl2·
6H2O为0.1～0.3mmol，硫代乙酰胺TAA为0.8～1mmol，去离子水为5～30mL，搅拌为磁力搅拌，搅拌时间为20～30min。5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：尚家旭，杨程，魏子尧，赵志，李文轩，梁苗苗，付翀，
申请(专利权)人：西安工程大学，
类型：发明
国别省市：