下载一种宽光谱高反射率的光电器件的技术资料

文档序号:33779630

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本发明公开了一种宽光谱高反射率的光电器件,主要包括:由(1)~(2)构成的基本结构。(1)是氮化硼层,位于结构上部,是光线的入射面;(2)是硅层,位于结构下部;(1)、(2)材料的厚度均在微米量级或纳米量级。基本结构可以单独构成简单的器件,...
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