一种宽光谱高反射率的光电器件制造技术

本发明专利技术公开了一种宽光谱高反射率的光电器件，主要包括：由(1)～(2)构成的基本结构。(1)是氮化硼层，位于结构上部，是光线的入射面；(2)是硅层，位于结构下部；(1)、(2)材料的厚度均在微米量级或纳米量级。基本结构可以单独构成简单的器件，也可以堆叠组合构成多层的结构；通过基本结构的堆叠，可以针对特定的光谱范围具有高反射率特性，更具有使用的灵活性。本发明专利技术通过半导体材料氮化硼和硅的组合形成高反射率的光电器件或光学器件，成本低、易于制备，性能稳定、使用方便，其性能明显优于金属材料结构的高反射膜，具有新颖性、创造性和实用性。用性。用性。

【技术实现步骤摘要】
一种宽光谱高反射率的光电器件


[0001]本专利技术涉及一种宽光谱高反射率的光电器件。

技术介绍

[0002]宽光谱高反射率的光电器件在现代信息设施中有广泛用途。它结构简单、易于制造，使用方便。本器件结构简单、制造方便，易于大规模生产和使用，能完成现代信息社会对光电器件的要求。
[0003]硅(Si)是现代硅基集成电路技术中必需的半导体材料。氮化硼(Cubic Boron Nitride)是半导体材料，其硬度高，仅将于金刚石，同时具有良好的导热性。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种宽光谱高反射率的光电器件，结构简单，制造方便，易于大规模推广使用。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种宽光谱高反射率的光电器件，主要包括：由(1)～(2)构成的基本结构。(1)是氮化硼层，位于结构上部，是光线的入射面；(2)是硅层，位于结构下部；(1)、(2)材料的厚度均在微米量级或纳米量级。
[0006]作为本专利技术的优选方案：基本结构可以单独构成简单的器件，也可以堆叠组合构成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种宽光谱高反射率的光电器件，主要包括：由(1)～(2)构成的基本结构。(1)是氮化硼层，位于结构上部，是光线的入射面；(2)是硅层，位于结构下部；(1)、(2)材料的厚度均在微米量级或纳米量级。2.根据权利要求1所述的一种宽光谱高反射率的光电器件，其特征在于：基本结构可以单独构成简单的器件，也可以堆叠组合构成多层的结构；通过基...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊锡成，李敏，黄全振，
申请(专利权)人：河南工程学院，
类型：发明
国别省市：