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本发明涉及红外探测器领域，具体涉及一种非制冷红外探测器及其制作方法，包括读出电路、MEMS器件和盖帽，盖帽的内侧设有第一吸气剂层，读出电路上对应MEMS器件的位置处设有第二吸气剂层；具体是先在读出电路上对应MEMS器件的位置处制作第二吸气剂...
该专利属于武汉高芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉高芯科技有限公司授权不得商用。

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