温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开的实施例提供了在衬底和晶体管之间具有高阻抗半导体材料的集成电路(IC)结构。该IC结构可以包括：衬底、位于衬底的一部分上的高阻抗半导体材料，以及位于高阻抗半导体材料的顶表面上的晶体管。晶体管包括在水平方向上位于第一源极/漏极(S/D)...
该专利属于格芯（美国）集成电路科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯（美国）集成电路科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。