温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请涉及电容式感测NAND存储器中的感测线结构。存储器单元阵列可包含：数据线；源极；在所述数据线和所述源极之间串联连接的多个通过门；多个单元列结构，其各自具有与相应多个经串联连接场效应晶体管串联连接的相应多个经串联连接非易失性存储器单元，...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。