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本发明涉及内嵌有非易失性晶体管的静态随机存取存储器(SRAM)基元。本公开涉及一种结构，该结构包括：锁存电路；第一非易失性场效应晶体管(FET)，其连接到锁存电路的第一侧和位线；以及第二非易失性场效应晶体管(FET)，其连接到锁存电路的第二...
该专利属于格芯（美国）集成电路科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯（美国）集成电路科技有限公司授权不得商用。

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