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本申请涉及电容式感测NAND存储器的存储器阵列结构。存储器单元阵列包含多个感测线，每个感测线具有在第二数据线和源极之间串联连接的相应多个通过门，并且具有电容耦合到其相应多个通过门的第一沟道的相应单元列结构子集，其中，对于所述多个感测线中的每...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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