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公开了半导体装置和电子系统。该半导体装置包括衬底上的栅极堆叠结构、在衬底上在第一方向上延伸并且将栅极堆叠结构分离的分离结构、以及穿透栅极堆叠结构的竖直结构。每个栅极堆叠结构包括单元介电层和包括上电极的电极、在电极与单元介电层之间延伸的阻挡层...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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