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一种无结场效应晶体管及其制备方法，该无结场效应晶体管包括有源层、二维半导体材料层、栅介质层和栅极。有源层沿第一方向延伸，包括沟道区以及在第一方向上位于沟道区两端的源极区和漏极区；二维半导体材料层设置在有源层的表面且至少部分环绕沟道区；栅介质...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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