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本发明提供一种超结器件及制作方法，包括：1)在第一衬底及第二衬底的第一主面刻蚀出第一沟槽及第二沟槽，沟槽呈倒梯形；2)将第一衬底与第二衬底键合；3)减薄第一衬底，并保留一支撑层；4)氧化支撑层，腐蚀去除氧化层，以显露沟槽，所述沟槽呈纺锤形结...
该专利属于上海功成半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海功成半导体科技有限公司授权不得商用。

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