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本发明公开一种金属氧化物半导体(MOS)电容器及其制作方法，其中该MOS电容器包括一基底，具有电容器形成区域；离子阱，具有第一导电型，设置在基底中；一反掺杂区，具有第二导电型，设置在离子阱中；一电容介电层，设置在离子阱上；一栅电极，设置在电...
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