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一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构两侧的基底内形成有源漏掺杂层，相邻栅极结构之间形成有电连接源漏掺杂层的底部源漏插塞，基底上形成有覆盖栅极结构的第一层间介质层，第一层间介质层中形成有露出底部源漏插塞的...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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