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本发明涉及一种具有平面组合辅助电极结构的SOI LIGBT器件及其制备方法，以缓解SOI LIGBT器件难以兼顾较高击穿电压和较低的正向导通压降、比导通电阻的技术问题。该器件包括依次层叠的P型半导体材料衬底、SOI基及N型漂移区，N型漂移区...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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