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自偏置环行器用高剩磁M型钡铁氧体制备技术制造技术
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文档序号:33741697
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本发明提供了一种自偏置铁氧体基板用高剩磁M型六角铁氧体及制备方法。通过适宜的球磨、预烧工艺,结合湿法磁场成型工艺制备生坯,再结合优化的烧结工艺,最终制备一种高剩磁M型钡铁氧体材料。其特征在于,饱和磁化强度约4300Gs,剩磁约3500Gs,...
该专利属于电子科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过电子科技大学授权不得商用。
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