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公开了优化半导体沟槽形貌的双相刻蚀工艺方法，主要利用两种不同条件的刻蚀工艺进行循环刻蚀，可以抑制微沟槽的产生，改善了器件沟槽底部的形貌，并可以获得“V型槽”、“U型槽”以及底部平坦的沟槽形貌。以及底部平坦的沟槽形貌。以及底部平坦的沟槽形貌。...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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