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本发明的主题是一种用于测定硅中痕量金属的方法，所述方法包括以下步骤：a)在区域熔融装置中准备一个棒状硅样品和一个棒状晶种；b)区域熔融形成的单晶硅具有圆锥末端区域，在分离步骤中在单晶硅的末端形成一滴状熔体；c)冷却所述滴状熔体形成固化的硅滴...
该专利属于瓦克化学股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过瓦克化学股份公司授权不得商用。

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